兴奋性突触后电位(EPSP) | 抑制性突触后电位(IPSP) | |
神经递质 | 作用于突触后膜的神经递质为兴奋性递质 | 作用于突触后膜的神经递质为抑制性递质 |
后膜电位 | 递质作用后,突触后膜发生去极化 | 递质作用后,突触后膜发生超极化 |
兴奋性 | 突触后神经元对刺激的兴奋性升高 | 对其他刺激的兴奋性降低 |
产生机制 | 递质作用于突触后膜,突触后膜对Na+和K+通透性增高,导致突触后膜去极化 |
①后膜对CI-通透性增高,Cl-内流,超极化 ②K+通透性增高,Na+、Ca2+通道关闭 |
后膜离子 | Na+内流↑↑↑、K+外流↑ | Cl-内流↑↑↑、K+外流↑ |
特点 | EPSP可以总和,为局部电位 | IPSP也可以总和,为局部电位 |
结果 | 突触后神经元容易兴奋(兴奋) | 突触后神经元更不容易兴奋(抑制) |
A.Na+内流
B.K+内流
C.Ca2+内流
D.C1-内流
E.K+外流
答案:D
解析:①突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部超极化电位变化,称为抑制性突触后电位(IPSP)。其产生机制是抑制性中间神经元释放的抑制性递质(如GABA)作用于突触后膜,使后膜上的递质门控Cl-通道开放,引起CI-内流,导致突触后膜发生超极化。②虽然IPSP的形成还可能与突触后膜K+外流有关,但不是主要因素,因此本题最佳答案为D而不是E。